技術(shù)編號：40384480
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種包括磁阻式隨機存取存儲單元(magnetoresistive?random?access?memory?cell，mram?cell)與位線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、非易失性存儲器由于具有存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點，因此成為個人計算機和其他電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲器。磁阻式隨機存取存儲器是一種根據(jù)磁性膜層中磁矩的方向來存儲信息的非易失性存儲器。、一般來說，磁阻式隨機存取存儲單元包括頂部電極、底部電極以及設(shè)置在頂部電極與底部電極之間的磁性隧道...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。