技術(shù)編號：40384058
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及冷卻，尤其涉及一種冷卻系統(tǒng)及其控制方法。背景技術(shù)、隨著高功率芯片技術(shù)的快速發(fā)展，大型天線和超算中心的電子設(shè)備近年來也迎來了超常規(guī)發(fā)展，作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，以氮化鎵芯片替代傳統(tǒng)的砷化鎵芯片，可實(shí)現(xiàn)芯片效率由%提高至%，是高功率電子芯片能力提升的重要手段。、氮化鎵芯片在提升高功率芯片能力的同時，帶來熱流密度大幅提升的問題。散熱已經(jīng)成為限制氮化鎵功率器件技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用的最大瓶頸。、相關(guān)技術(shù)中的氣-液兩相冷卻技術(shù)可利用制冷劑在常壓下對溫度敏感的特性，直接將液態(tài)制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。