技術(shù)編號：40383796
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種非對稱超級結(jié)mosfet結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)、超級結(jié)mosfet（super?junction?mosfet）是一種先進的功率半導(dǎo)體器件，基于電荷平衡技術(shù)，通過在n型和p型區(qū)域之間引入額外的電荷來優(yōu)化電場分布，從而降低導(dǎo)通電阻并減少寄生電容。、在工藝技術(shù)上，超級結(jié)可以通過溝槽或多次外延工藝形成。例如，公開號為cna的中國專利，公開了一種溝槽柵超結(jié)vdmosfet半導(dǎo)體器件及其制備方法，其包括如下步驟：在n型襯底上生長n型外延層；在n型外...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。