技術編號：40381529
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開實施例屬于半導體工藝，具體涉及一種密集線圈制備方法及密集線圈。背景技術、如圖所示，在mems產(chǎn)品設計中會有大面積密集au線圈設計，線圈兩端會存在獨立標準au線設計。密集的au線圈中au線之間的間距設計較窄，線圈密度較高(間距≤um)。密集的au線圈&獨立標準au線設計均具有高寬比的特性(高：寬≥、：)。密集au線設計會造成au線與ubm(電鍍種子層)應力集中、高寬比的特性會導致au線抗剪切力較弱，以上兩點均會引起au線脫落問題。、一方面可以通過降低ubm層(電鍍種子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。