技術(shù)編號：40379469
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光刻曝光，特別是涉及一種光刻曝光仿真的補(bǔ)償模型創(chuàng)建方法和裝置、一種光刻曝光仿真方法和裝置以及一種電子設(shè)備。背景技術(shù)、計(jì)算光刻是采用計(jì)算機(jī)模擬、仿真光刻工藝的光化學(xué)反應(yīng)和物理過程，實(shí)現(xiàn)對光刻曝光圖像的仿真，利用仿真曝光圖像輔助芯片設(shè)計(jì)、分析、預(yù)測及修正，以提升芯片研制周期和加工良率。在實(shí)際光刻曝光過程中，高端芯片圖案節(jié)點(diǎn)/尺寸遠(yuǎn)小于曝光光線的波長，進(jìn)而會(huì)在光掩模圖案邊緣產(chǎn)生繞射效應(yīng)；由此在計(jì)算光刻中就需要對曝光過程中的邊緣繞射效應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)地補(bǔ)償，從而保證對曝光過程模擬仿真的準(zhǔn)確性，避免...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。