技術(shù)編號(hào):40374578
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,具體而言,涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)、當(dāng)前,溝槽mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)由于其導(dǎo)通電阻低、芯片面積小等優(yōu)勢(shì)成為研究熱點(diǎn)之一。由于溝槽mosfet在傳統(tǒng)柵氧制備過(guò)程中,其溝槽底部的氧化速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于溝槽側(cè)壁的氧化速率,導(dǎo)致其溝槽底部的柵氧質(zhì)量較差,器件擊穿特性惡化。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體器件,以至少解決現(xiàn)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。