技術(shù)編號(hào)：40368625
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非制冷紅外探測(cè)器，更具體涉及一種非制冷紅外探測(cè)器像素級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。背景技術(shù)、非制冷紅外探測(cè)器像素級(jí)封裝是將封裝工藝融入到整個(gè)mems(微機(jī)電系統(tǒng))工藝制程中，在已完成紅外mems微橋的基礎(chǔ)上采用特定膜層進(jìn)行封裝，以實(shí)現(xiàn)單晶圓集成工藝的薄膜封裝。這種封裝方式對(duì)于提高探測(cè)器的性能、降低成本和體積具有重要意義。然而，在構(gòu)建整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的過程中，確實(shí)存在一些技術(shù)挑戰(zhàn)，特別是在微結(jié)構(gòu)上制作用于腔體支撐的柱子時(shí)，柱子應(yīng)為實(shí)心柱，才能保證結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。然而常規(guī)的半導(dǎo)體長(zhǎng)膜設(shè)備，如pvd(物...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。