技術(shù)編號：40313457
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，特別是涉及一種功率放大器以及一種電子設備。背景技術(shù)、功率放大器作為通信和雷達收發(fā)系統(tǒng)中的關(guān)鍵微波元器件，整個整機系統(tǒng)的性能與功率放大器的輸出功率、效率以及可靠性等指標密切相關(guān)。因此，如何提高放大器的功率、效率等性能成為設計的主要挑戰(zhàn)。、gan?hemt（high?electron?mobility?transistor，高電子遷移率晶體管）器件與其他類型工藝的器件相比，具有更高的電子飽和速度，更好的擊穿電壓，更大的禁帶寬度，gan?hemt工藝的器件可承受的功率密度大，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。