技術(shù)編號：40006868
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種無需高精度光刻制備平面超細(xì)密排溝槽及納米線的方法，更具體的說是涉及一種利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）疊層制備技術(shù)制備平面超細(xì)密排納米線陣列（nanowire?arrays）的方法，適用于微電子領(lǐng)域以及三維集成。背景技術(shù)、晶硅納米線作為典型的一種一維納米材料，在納米電子器件、光電子器件、量子電子，柔性/可拉伸電子和生物電子等方面具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。目前納米線的生長主要應(yīng)用平面固液固（ipsls）生長模式，其采用氫化非晶硅薄膜作為前驅(qū)體，由金屬催化劑納米顆粒吸收非晶硅而生長...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。