技術(shù)編號：3806483
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及抗蝕的乙硅烷和飽和烴橋接的含硅聚合物、其制備方法和 其使用方法。更特別地，本發(fā)明涉及可用于光刻制造工藝中的抗蝕乙硅烷 和飽和烴橋^接的>^硅聚合物、其制備方法和其^f吏用方法。背景技術(shù)器件例如半導(dǎo)體器件、光電子器件、MEMS (g電系統(tǒng))器件等的 制造， 一般使用結(jié)合光刻工藝的 1^加工操作。所述光刻工藝可使用適 合于形成具有所需分辨率的圖像的預(yù)定波長的光。由于各種原因，例如經(jīng) 濟上的節(jié)省、性能優(yōu)勢、降低整體器件的尺寸等，減小器件中的特征尺...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。