技術(shù)編號：3778562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種氣體分布系統(tǒng)，尤其涉及一種向半導(dǎo)體晶片加工腔室供氣的裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體晶片集成電路的發(fā)展，電感耦合等離子體裝置(ICP)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo) 體晶片刻蝕等工藝中，電感耦合等離子體裝置(ICP)屬于干法刻蝕(Dry Etching)設(shè)備 或化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備，其工作原理是在低壓下，反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下， 產(chǎn)生電離形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔室中的氣體在電子 的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成...
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