技術(shù)編號:3778237
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件,具體地涉及發(fā)生在半導(dǎo)體器件中的反向短溝道效應(yīng)。半導(dǎo)體集成電路中減小其特征尺寸的趨勢產(chǎn)生了溝道長度接近于0.05微米的器件。但是,隨著有效溝道長度(Leff)的減小,溝道的導(dǎo)電率反向且發(fā)生導(dǎo)電的門電壓一門限(閾)電壓一增加到理論的預(yù)期水平之上。附圖說明圖1表示電壓的這種增加,或反向短溝道效應(yīng)(RSCE),這一般說來是一種不希望出現(xiàn)的效應(yīng)。圖1中的虛線表示在帶柵極的器件中理想的溝道導(dǎo)電性能。隨著溝道長度的減小而門限電壓反而趨向更高這...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。