技術(shù)編號：3769551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光液。 背景技術(shù)COMS芯片的制造通常是在硅襯底材料上集成數(shù)以億計的有源器件(包括NMOS和 PM0S)，進(jìn)而設(shè)計各種電路實現(xiàn)復(fù)雜的邏輯功能和模擬功能。要確保不同器件之間的電學(xué)隔離，就要采用絕緣材料將其隔離，淺槽隔離(STI)就是在有源器件之間形成隔離區(qū)的工業(yè)化方法。這種隔離方法，是在襯底上生長一層二氧化硅層，然后再淀積一層氮化硅薄膜，二者的典型厚度分別為10-20nm和50-100nm，然后進(jìn)行涂膠，、曝光和顯影，如下圖所示。圖示...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。