技術(shù)編號：3742650
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光液，尤其涉及一種對集成電路硅襯底用具有特殊緩 沖體系的化學(xué)機(jī)械拋光液。背景技術(shù)目前，硅晶片作為半導(dǎo)體基體廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中，半導(dǎo)體芯片大部分都是 硅晶片。為了滿足光刻工藝的平坦化要求，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)逐漸發(fā)展與成熟，最 早出現(xiàn)于20世紀(jì)80年代中期。CMP技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成為以化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)為主體，集在線 檢測、終點(diǎn)檢測、清洗、甩干等技術(shù)于一體的化學(xué)機(jī)械平坦技術(shù)，是集成電路向微細(xì)化、多層 化、薄型化、平坦化工藝發(fā)展的產(chǎn)物...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。