技術(shù)編號(hào)：3730589
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于拋光半導(dǎo)體薄層的氧化鈰漿料，該漿料具有良好的分散穩(wěn)定性和優(yōu)異的拋光性能且不會(huì)產(chǎn)生劃痕。背景技術(shù) 含水的氧化鈰(鈰土)漿料被廣泛用于半導(dǎo)體或絕緣薄層的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，但是傳統(tǒng)的氧化鈰漿料具有下述缺點(diǎn)經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存氧化鈰顆粒沉淀，并且再分散時(shí)團(tuán)聚形成大顆粒。為此，在分散劑和分散裝置的輔助下，進(jìn)行了許多嘗試來提高氧化鈰漿料的分散穩(wěn)定性能。近來，隨著半導(dǎo)體層上形成的電路圖案和半導(dǎo)體芯片間隙的微縮，開發(fā)不產(chǎn)生劃痕的氧化鈰漿料成為必要。日本未...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。