技術(shù)編號(hào)：3690292
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用多面體分子倍半硅氧烷(polyhedral molecularsilsesquioxane)形成用于半導(dǎo)體器件的層間電介質(zhì)膜的方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于使用多面體分子倍半硅氧烷作為用于硅氧烷基樹(shù)脂的單體或作為微孔形成劑(下文中，簡(jiǎn)稱為“微孔生成物[porogen]”)來(lái)形成電介質(zhì)膜的方法，以制備用于形成電介質(zhì)膜的合成物并在襯底上涂布合成物。由于本方法所用的多面體分子倍半硅氧烷含有許多的內(nèi)部孔，所以由本方法形成的電介質(zhì)膜具有低電介質(zhì)...
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