技術(shù)編號(hào)：3674443
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種含噻吩并噻吩單元的聚合物，具有如下結(jié)構(gòu)式其中，R1為C1~C20的烷基，R2為C1~C20的烷基，n為10~100的整數(shù)。該含噻吩并噻吩單元的聚合物具體吸電子磺酰基團(tuán)，是電子受體單元，通過雙噻吩修飾后具有帶隙較窄及對太陽光有較高的吸收系數(shù)和較寬的吸收范圍的優(yōu)點(diǎn)；通過烷基修飾改善聚合物的溶解性能和成膜性能，該聚合物的空穴遷移率在10-4cm2V-1S-1左右，進(jìn)而解決太陽能電池器件低效率問題。本發(fā)明還提供一種含噻吩并噻吩單元的聚合物的制備方法及使用該含噻...
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