技術(shù)編號(hào):3635848
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光敏聚合物及化學(xué)放大型的光阻劑組合物。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及包括含有金剛烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物,及含有該聚合物的光阻劑組合物。 背景技術(shù) 當(dāng)半導(dǎo)體器件變得更加高度集成化時(shí),在制造這樣的器件中使用的光刻方法必須能夠形成精細(xì)圖案。例如,需要0.2μm或更小尺寸的圖案用于具有超過(guò)1G字節(jié)容量的半導(dǎo)體記憶器件。因此,傳統(tǒng)光阻劑材料的應(yīng)用受到了限制,這是由于它們與波長(zhǎng)為248nm的KrF受激準(zhǔn)分子激光器一起使用,對(duì)于形成超細(xì)圖案所述波長(zhǎng)太大。因此...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。