技術(shù)編號:3585269
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于含周期表第III族元素的化合物的制備領(lǐng)域,涉及一種制備三甲基鎵的方法。背景技術(shù)高純?nèi)谆壍冉饘儆袡C(jī)化合物廣泛應(yīng)用于生長銦鎵磷(InGaP)、銦鎵砷氮 (InGaAsN)、銦鎵砷(InGaAs)等化合物半導(dǎo)體薄膜材料。是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù) (M0CVD)、化學(xué)束外延(CBE)過程中生長光電子材料的最重要、也是目前用量最大的原料?,F(xiàn)有技術(shù)中,三甲基鎵的制備方法較多,但能運(yùn)用到工業(yè)化的方法很少,常見的方法即采用工業(yè)三甲基鋁與三氯化鎵進(jìn)行烷基交換...
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