技術(shù)編號:3545347
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種有機半導體材料,及其在OLED器件的空穴注入層中的應。背景技術(shù)如附圖說明圖1所示,OLED器件主要由陰極1、發(fā)光層2、空穴注入層(HIL)3、陽極4、襯底5順次層疊構(gòu)成,電源6連接陰極I與陽極4。所述發(fā)光層2為有機材料。制備OLED器件時,通常是在襯底5上先設置氧化銦錫(ITO)作為陽極4,然后在ITO陽極4上設置空穴注入層(HIL) 3,接著在空穴注入層3上設置發(fā)光層2,最后在發(fā)光層2上再蒸鍍金屬陰極1,例如依次真空蒸鍍一層CsF和一層金屬...
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