技術(shù)編號：3471000
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，所述方法包括如下步驟提供高純硅粉和高純碳粉；所述高純硅粉和高純碳粉充分混合后放置于坩堝，于1400-2200℃的高溫爐中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料壓碎后在氧化爐中經(jīng)過600-1400℃的高溫氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空爐中經(jīng)過800-1600℃高溫真空脫氣，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料經(jīng)過濕法化學(xué)冶金處理，得到高純碳化硅原料。專利說明一種高純碳化娃原料的制備方法[0001]本發(fā)明涉及一種電子工業(yè)、半導(dǎo)體材料的制...
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