技術(shù)編號：3470794
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備二氧化鈦納米線陣列的方法。 背景技術(shù)二氧化鈦薄膜在光催化、光電催化、氣體傳感器、薄膜太陽能電池、電致變 色薄膜和場發(fā)射等領(lǐng)域有著廣泛的潛在應(yīng)用。納米棒、納米花、納米管和納米線 等納米結(jié)構(gòu)的二氧化鈦有序陣列薄膜具有極高的比表面積，因而在上述應(yīng)用中都 顯示出優(yōu)異的性能。此外，和普通的納米顆粒組成的致密薄膜相比，二氧化鈦納 米棒、納米線等有序陣列薄膜具有更好的空間電荷分離效應(yīng)，這對于光催化、光 電催化和光電陽極等都有重要的意義。截止目前，無論是...
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