技術(shù)編號：3470226
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過將三氯氫硅與濕潤的惰性氣體充分接觸，通過局部水解以除 去微量磷硼的新工藝。背景技術(shù)目前，全世界70%以上的多晶硅都是采用改良西門子法生產(chǎn)的，在改良西門子法 中，三氯氫硅是生產(chǎn)多晶硅的主要原料，因此多晶硅中雜質(zhì)的含量就取決于原料三氯氫硅 中雜質(zhì)的含量；在該生產(chǎn)工藝中，三氯氫硅中的雜質(zhì)都是通過精餾除去的；對于部分雜質(zhì)， 比如，鐵、銅、錳等可以通過精餾完全除去，但是由于磷硼化合物的性質(zhì)與三氯氫硅性質(zhì)相 似，且在其中的分散系數(shù)接近于1，因此難于除...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。