技術編號：3468873
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于多晶硅生產(chǎn)，更明確地說涉及西門子法多晶硅生產(chǎn) 用還原爐的進氣口和出氣口的改進和創(chuàng)新。背景技術現(xiàn)有多晶硅生產(chǎn)用還原爐的進、出氣口均為與還原爐內(nèi)部底平面平齊的圓形開口，進氣速度較快。提純后的SiHCl3與H2混合后，從底部九個進氣口噴入還原爐。氣體亦從底部出氣口排出。原設計意圖是進口氣體以高速噴入爐內(nèi)，形成氣柱，到達頂部后再折返向下從底部出口排出；由于高速氣 流的擾動與折返，在爐內(nèi)形成強湍流流場， 一方面保證各斷面上氣體組成均 一，另一方面湍流流場可...
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