技術(shù)編號:3468804
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種改進氫化物氣相外延(HVPE)生長半導(dǎo)體材料如GaN材料的生 長進氣氣流均勻性的方法和裝置。二背景技術(shù)以GaN及InGaN、 AlGaN合金材料為主的III-V族氮化物材料(又稱GaN基材料) 是近幾年來國際上倍受重視的新型半導(dǎo)體材料。GaN基材料是直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體 材料,具有1.9—6.2eV之間連續(xù)可變的直接帶隙,優(yōu)異的物理、化學(xué)穩(wěn)定性,高飽和 電子漂移速度,高擊穿場強和高熱導(dǎo)率等優(yōu)越性能,在短波長半導(dǎo)體光電子器件和高 頻、高壓、高溫...
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