技術(shù)編號(hào)：3465621
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于多晶硅生產(chǎn)，特別是針對(duì)“改良西門子法”中三氯氫硅的還原工段提出的一種。背景技術(shù)目前，國內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術(shù)是改良西門子法。該工藝技術(shù)的核心步驟——三氯氫硅的還原反應(yīng)，是在多晶硅還原爐內(nèi)進(jìn)行的首先高純的三氯氫硅和氫氣按比例混合后通入多晶硅還原爐，然后在一定的溫度(1080°C 1150°C )和壓力下，在通電高溫硅芯上進(jìn)行沉積反應(yīng)生成多晶硅；其中，關(guān)鍵反應(yīng)物組分三氯氫硅的單爐(單臺(tái)多晶硅還原爐)單程轉(zhuǎn)化率一般為10%左右；最后剩余的反應(yīng)物作...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。