技術(shù)編號(hào)：3454145
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括步驟101、在一基底的表面生長第一碳納米管陣列；步驟102、對(duì)所述第一碳納米管陣列進(jìn)行蒸汽收縮處理，使所述第一碳納米管陣列中碳納米管之間的間隙變小而形成多個(gè)孔洞，以使的所述基底的部分表面從所述孔洞裸露出來；步驟103、在所述基底裸露出來的所述部分表面生長第二碳納米管陣列；步驟104、重復(fù)步驟102和步驟103使所述碳納米管陣列中的碳納米管之間的間隙不斷變小,以獲得所述高密度碳納米管陣列。采用本發(fā)明實(shí)施例所述的方法制得的碳納米管陣列不僅密度...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。