技術(shù)編號：3453122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了，屬于于半導體制備。它解決了現(xiàn)有簡單露天碳化硅制備設(shè)備大量生產(chǎn)純度較低的碳化硅導致會對環(huán)境造成很大的污染和價格低廉的問題。本碳化硅的制備方法，在真空環(huán)境或者惰性氣體保護下的爐體內(nèi)，將生產(chǎn)碳化硅的硅原材料在超過1300℃的高溫環(huán)境中熔解或者蒸發(fā)并將熔解或者蒸發(fā)的硅原材料與含有碳元素的氣體或液體反應(yīng)生成碳化硅。本發(fā)明采用不含金屬雜質(zhì)的含碳氣體來代替現(xiàn)有制備方法中的石油焦、樹脂、瀝青、墨、碳纖維、石炭、木炭等碳素原料，在進行碳化反應(yīng)時硅原材料為熔化或...
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