技術(shù)編號：3452101
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型屬于多晶硅提純領(lǐng)域，具體涉及一種電子束熔煉高效去除多晶硅中雜質(zhì)氧的裝置，打破了傳統(tǒng)的電子束熔煉模式，不在熔煉坩堝內(nèi)進行電子束熔煉，而是借用導流槽進行電子束除氧熔煉，由于硅液能夠在導流區(qū)域內(nèi)鋪散，比表面積增大，因此電子束熔煉除氧效果更好。本實用新型的優(yōu)點在于（1）提出了電子束除氧的工藝方法和用途，解決了多晶硅中雜質(zhì)氧去除的難題，氧含量可以降低于0.0571ppmw以下，滿足太陽能電池對多晶硅鑄錠含氧量的要求；（2）多晶硅料高效帶狀除氧技術(shù)可增大硅液...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。