技術(shù)編號(hào)：3450680
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米晶合成及半導(dǎo)體納米材料的可控組裝方法，特別是一種液相法直接合成硫化鉛立方體納米晶顆粒薄膜的方法。背景技術(shù)硫化鉛(PbS)是一種重要的半導(dǎo)體材料，其能帶間隙為0.41eV,具有較大的激子波爾半徑(18nm)，較強(qiáng)的電子-空穴對(duì)限域效應(yīng)和較大的光學(xué)非線性系數(shù)，其量子束縛效應(yīng)程度是其它半導(dǎo)體材料的數(shù)倍，是研究量子尺寸效應(yīng)的典型材料。納米尺度的PbS能帶從近紅外藍(lán)移到可見光區(qū)域，呈現(xiàn)出奇異的光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)，因而在許多領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。在非線...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。