技術(shù)編號(hào)：3450628
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米級(jí)形貌控制的氧化鈰拋光材料制備方法及其應(yīng)用領(lǐng)域，尤其是形貌控制的氧化鋪顆粒和制備方法及其在半導(dǎo)體器件淺溝隔離(Shallow TrenchIsolation, STI)制造工藝中化學(xué)機(jī)械平整化(CMP)的應(yīng)用。背景技術(shù)隨著社會(huì)城市化、科技化、人性化的發(fā)展，集成電路的應(yīng)用得到了蓬勃的發(fā)展，大規(guī)模集成電路(VLIC)是由各個(gè)獨(dú)立的器件通過特定的電子學(xué)通路連接起來的，因此在集成電路制造中必須能夠把器件按要求隔離開來，隨后這些器件按設(shè)計(jì)要求互相連接以...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。