技術(shù)編號：3450494
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及NbON膜、NbON膜的制造方法、使用所述NbON膜的氫生成設(shè)備、和具備所述氫生成設(shè)備的能量系統(tǒng)。背景技術(shù)以往，已知有通過對作為光半導(dǎo)體發(fā)揮作用的半導(dǎo)體材料照射光而將水分解來采集氫和氧的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I中，公開有如下的內(nèi)容，即，在電解液中配置η型半導(dǎo)體電極和對電極，通過對η型半導(dǎo)體電極的表面照射光而從兩個電極的表面采集氫及氧。具體來說，記載有作為η型半導(dǎo)體電極使用TiO2電極等的內(nèi)容。但是，專利文獻(xiàn)I中公開的η型半導(dǎo)體電極中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。