技術(shù)編號(hào)：3446829
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米材料,具體是一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法。背景技術(shù)8“5%是一種重要的功能材料，得益于其優(yōu)良的各向異性層狀結(jié)構(gòu)，它具有的優(yōu)良光電、熱電性能和整流效應(yīng)而被應(yīng)用于熱電和光電子器件。最近，Bi2Se3作為一種拓?fù)浣^緣體材料受到微電子領(lǐng)域的關(guān)注，這類材料的表面態(tài)具有金屬性能，表面態(tài)電子在不加外場(chǎng)的情況下能形成自旋電子流，在自旋電子器件有潛在的應(yīng)用。納米尺度的Bi2Se3由于尺寸小，表現(xiàn)出比塊體材料更加優(yōu)越的光電磁性能，厚度僅幾納米的拓?fù)?..
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。