技術(shù)編號(hào)：3446039
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法，尤其是可大量制備立方相碳化硅納米線的制備方法，該方法關(guān)鍵在于利用無機(jī)硅源和碳源，用較簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的工藝，批量制備立方相碳化硅納米線。這些納米線的直徑在100 nm以下，長度為幾十微米。在紫外光激發(fā)下，這些納米線有較強(qiáng)藍(lán)光發(fā)射。背景技術(shù)碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，立方相碳化硅(3C_SiC)納米線具有一系列優(yōu)于碳化硅體材料或碳化硅體材料不具備的特殊性能。如碳化硅納米線的熱、化學(xué)穩(wěn) 定性優(yōu)良，可用于極端環(huán)境中；楊氏模量...
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