技術(shù)編號(hào)：3445324
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文公開內(nèi)容涉及同位素富集的含硼化合物、組合物，及其制備和使用方法。背景技術(shù)離子注入(ion implantation)用于集成電路制造中以將受控量的摻雜劑雜質(zhì)精確地引入半導(dǎo)體晶片中，并且其是微電子/半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟。在這樣的注入系統(tǒng)中，離子源電離所需摻雜劑源氣體(dopant sourcegas)的摻雜元素(dopant element)。所述離子源通過將電子引入充滿摻雜劑源氣體(通常也被稱為“原料氣(feedstock gas)”)的真空室來生成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。