技術(shù)編號:3442561
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種坩堝,特別是涉及一種用于太陽能級多晶硅制備中的具有涂 層的坩堝。背景技術(shù)由于西門子法多晶硅提純技術(shù)生產(chǎn)成本高,近年來,采用冶金法提純制備太陽能 級多晶硅的技術(shù)獲得了廣泛的重視。冶金法提純技術(shù)需經(jīng)過硅材料的精煉和鑄錠,采用的 裝料容器通常為石英坩堝。由于硅的熔點較高,精煉與鑄錠耗時較長,在高溫下硅液與坩堝 之間長時間接觸易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。反應(yīng)一方面導(dǎo)致氧元素及其它雜質(zhì)元素溶入硅液中,使 硅液受到污染,影響多晶硅的電學(xué)性能。另一方面,反應(yīng)可導(dǎo)致...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。