技術(shù)編號：3441759
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及硅的化學氣相沉積工藝，更具體地說，涉及一種使用表面微結(jié)構(gòu)硅 芯在普通的化學氣相沉積反應器中沉積多晶硅的工藝。背景技術(shù)目前，改良西門子工藝是使用最廣泛的多晶硅生產(chǎn)方法之一，主要使用鐘罩型 反應器和與電極相連的直徑8mm左右的硅芯作為沉積基底，采用高溫還原工藝，以高純 的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。如圖1所示，鐘罩型反應器包括鐘罩壁 1、底座2。底座2上結(jié)合有進氣口 5、出氣口 6和電極3。觀察口 8提供對內(nèi)部的可視 觀察或提供紅外...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。