技術(shù)編號:3438956
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)、二氯硅烷(SiH2Cl2)等氯硅烷一直作為半導(dǎo)體用多晶硅、太陽能電池用甲硅烷、液晶等的制造原料等來使用。該氯硅烷可通過例如將被稱為“金屬硅”的冶金級的低純度硅用HCl等進(jìn)行氯化來制備。在如此制得的氯硅烷中,不可避免地會含有來自金屬硅的雜質(zhì)金屬元素等。由此, 將得到的氯硅烷通過蒸餾提純,將不可避免的雜質(zhì)盡可能除去而制成高純度氯硅烷之后, 作為半導(dǎo)體用多晶硅、甲硅烷等的原料來使用。然而,...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。