技術(shù)編號:3437426
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及真空冶金材料提純工程領(lǐng)域,尤其是涉及一種太陽能等級多晶硅的制 備方法。背景技術(shù)現(xiàn)有最為成熟的多晶硅提純工藝是西門子法。該方法是在流化床反應(yīng)器中混合冶 金級硅和氯化氫氣體,通過所述冶金級硅和氯化氫發(fā)生化學(xué)反應(yīng),最后得到沸點(diǎn)僅有31°C 的三氯化硅,所述化學(xué)反應(yīng)方程式為 Si (固體)+3HC1 (氣體)=SiHC13 (氣體)+H2 (氣體)(放熱)。隨后將三氯化硅和氫氣的混合物蒸餾后再和加熱到1100°C的硅棒一起通過氣相 沉積反應(yīng)爐中,從而除去...
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