技術(shù)編號：3436947
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在制造高純金屬硅過程中除雜的方法，尤其是利用機械力 化學(xué)去除冶金硅中微量磷、硼雜質(zhì)的方法及所用助劑。背景技術(shù)生產(chǎn)太陽能發(fā)電用多晶硅和單晶硅，傳統(tǒng)的方法有以下幾種1、用 SiHCl3法生產(chǎn)高純金屬硅棒。2、用SiH4法生產(chǎn)高純金屬硅棒。3、利用 SiHCl3法，或用SiH4法制造高純金屬硅，雖然這些方法去除雜質(zhì)效果很好， 但都存在成本高。最近有資料報道采用精選冶金硅粉碎后，進行酸洗除雜烘干，并經(jīng) 真空熔煉，再定向凝固除雜的方法。但這一方法仍然存在去...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。