技術(shù)編號(hào)：3426443
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MgO薄膜制備方法和裝置，尤其是一種等離子顯示屏中 MgO薄膜的制備方法及裝置，具體的說是一種MgO薄膜電子束蒸發(fā)制備方 法及裝置。背景技術(shù)目前，在等離子顯示屏PDP技術(shù)中，惰性放電氣體被密封在分別具有掃 描電極和尋址電極的前后基板中，放電氣體被電離成等離子體，在此電離過 程中放電氣體被激發(fā)發(fā)射出紫外線，并且紫外線激發(fā)在特定位置放置的熒光 粉發(fā)射可見光。在電極表面需要形成一層厚度約20 30^im的介質(zhì)層，起儲(chǔ)存 壁電荷以維持氣體放電同時(shí)也起...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。