技術(shù)編號：3426442
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積，特指一種多片式化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器結(jié)構(gòu)以及氣流分配方 法，為傳統(tǒng)的垂直噴淋式的一種改進(jìn)型式。將傳統(tǒng)的一個大噴淋頭改為許多均布的小噴淋 頭，每個小噴淋頭對準(zhǔn)下方的一個晶片，反應(yīng)后的尾氣從噴淋頭的周圍返回到位于上方的 外管出口。本發(fā)明使每個晶片的生長條件與托盤半徑無關(guān)，通過控制噴淋頭參數(shù)，可生長 出厚度和組分都均勻的薄膜。 背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積(CVD)是制備半導(dǎo)體薄膜器件的關(guān)鍵工藝，包括各種微電子器件、薄 膜光伏電池、發(fā)光二極管，都離不...
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