技術(shù)編號(hào):3426221
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有改良局部平整度(毫微位相)的半導(dǎo)體圓片及一種用以制造該類半導(dǎo)體圓片的方法。直至數(shù)年前,圓片所需的平整度值僅是為整個(gè)圓片或各個(gè)組件所占表面面積而總體性界定或規(guī)范。舉例言之,特性變量TTV(總厚度變化)是指圓片整個(gè)面積上圓片厚度的差異。另一方面,特性變數(shù)SFQR(局部聚焦平面最小二乘方差異范圍(峰頂至谷底)與各個(gè)組件組合體的廣度(部位;曝光點(diǎn);如面積為25毫米×25毫米的微處理器)有關(guān)。除這些長(zhǎng)—距特性變量之外,亦曾有及仍有對(duì)各個(gè)組件長(zhǎng)度量度...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。