技術編號：3426205
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體的制作，尤其是一種用于化學機械研磨(chemicalmechanical polishing)制程的研磨半導體晶片的復合(composite)研磨墊及其制作方法。請參考附圖說明圖1，圖1為一半導體晶片10的結構示意圖。半導體晶片10包含有一基底12，一金屬層14設于基底12之上以及一介電層16設于基底12的表面并覆蓋金屬層14。請考圖2，圖2為一習知化學機械研磨裝置20的結構示意圖?；瘜W機械研磨裝置20包含有一研磨臺22，一研磨墊24平鋪于...
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