技術(shù)編號(hào)：3425552
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及紅外焦平面列陣成像器件制造方法。具體涉及銦柱混成式InSb紅外焦平面列陣器件光照面上淀積氧化硅減反射膜的方法及其專用掩膜架。紅外焦平面列陣器件是既具有紅外信息獲取又具有信息處理功能的先進(jìn)的成像傳感器，在空間對(duì)地觀測、光電對(duì)抗、機(jī)器人視覺、搜索與跟蹤、醫(yī)用和工業(yè)熱成像、以及導(dǎo)彈精確制導(dǎo)等軍、民用領(lǐng)域有重要而廣泛的應(yīng)用。紅外焦平面列陣器件的主要性能參數(shù)之一是它的像元量子效率η。一個(gè)紅外焦平面列陣器件的像元量子效率是每一個(gè)入射到像元光照面上的光子所產(chǎn)生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。