技術(shù)編號：3424892
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，更具體地，涉及用于這樣的裝置的導(dǎo)電通路。背景技術(shù)如果籽晶層中存在微空隙或完全空隙，但底層擴散阻隔材料是導(dǎo)電的，則在電鍍敷 過程中，某些區(qū)域(即被籽晶涂覆的區(qū)域)將被鍍敷，而其他區(qū)域不被鍍敷。結(jié)果被鍍敷 區(qū)域包圍未被鍍敷區(qū)域。例如，由附圖說明圖1可見，籽晶被沉積在通孔的最底部的位置處(因為 他們面對通孔頂部的開口，但是在最靠近底部的通孔的側(cè)上沒有籽晶)。結(jié)果，在電鍍敷 之后，在通孔的底部和側(cè)上更高處、但不在靠近通孔底部的側(cè)上，存在發(fā)生電鍍的...
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