技術(shù)編號：3420162
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于用于多芯片集成的電子封裝零件制備，特別是提供了 一種制備SiC。/Al電子封裝材料的方法。背景技術(shù)隨著IC芯片集成度的提高，電子封裝正不斷的向小型化，輕量化和高密度組裝化方向發(fā)展，二十世紀(jì)九十年代以來，各種高密度封裝技術(shù)，如芯片尺寸封裝(CSP),多芯片組件(MCM)及單極集成組件(SLIM)等不斷涌現(xiàn)，極大 的增大了系統(tǒng)單位體積的發(fā)熱率。為了滿足上述IC和封裝技術(shù)的迅速發(fā)展，從 根本上改進(jìn)產(chǎn)品的性能，研發(fā)具有低膨脹、高熱導(dǎo)及良好綜合性能的新型封...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。