技術(shù)編號：3420053
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，且特別是涉及一種芯片及其包含以硝酸溶液清洗芯片的制造方法。在集成電路的形成過程中，為了避免集成電路受外來雜質(zhì)及機(jī)械性的傷害，我們通常在集成電路上方加蓋一層保護(hù)層(Passivation Layer)。氮化硅(Si3N4)與硼硅玻璃(PSG)，是兩種非常普遍被使用的保護(hù)層材料，比較常見的護(hù)層厚度約在1μm到2μm之間。之后，利用另一光罩，把作為接墊(Bonding Pad)之用的的金屬區(qū)域，以濕式或干式蝕刻法加以挖開，以形成含鋁接墊或含銅接墊...
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