技術(shù)編號:3419337
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)通常使用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)方法進(jìn)行金剛石沉積。在這種 金剛石沉積中,使用氫氣和甲烷的氣體混合物作為源氣體,以沉積結(jié)晶尺 寸為微米量級的多晶金剛石膜(下稱MD膜)。近年來,在使用氫氣和甲烷的氣體混合物的金剛石沉積中,將甲垸的 比例設(shè)置為5%或更大,結(jié)晶尺寸迅速降低,這一趨勢已被用于形成結(jié)晶尺 寸為納米量級的金剛石膜(下稱ND膜)。這種結(jié)晶尺寸為納米量級的ND膜 比MD膜更為平整,因此具有光學(xué)應(yīng)用前景。另外,在半導(dǎo)體制造中的等離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。