技術編號:3419205
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及從表面露出有硅部分和絕緣膜的半導體晶片等的表面 上形成鈦膜的成膜方法和成膜裝置。背景技術一般地,為了制造半導體集成電路,對半導體晶片反復實施成膜、 蝕刻、氧擴散、退火等各種熱處理,作為進行這種處理的裝置的一個 例子,例如使用在專利文獻1等中公開的等離子體處理裝置。而且, 與半導體集成電路的進一步高集成化和高微細化的要求相對應,在埋 入半導體元件的絕緣膜、為了實現多層化的電路結構之間的絕緣的層 間絕緣膜等上形成的孔,例如接觸孔、通路孔的直徑也越來越...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。